气体传感器MEMS部分
瑞士MicroChemical Systems SA早期的MiCS系列一氧化碳传感器，该实施方案在多晶硅电阻加热器上集成了氧化锡薄膜传感电阻器。加热器的作用是将传感器保持在100°至450°C之间的工作温度，从而减少湿度的有害影响。
检测电阻器和加热器位于2μm厚的硅膜上，以最大限度地减少通过基板的热损失。总共有四个电触点：两个连接到氧化锡电阻器，另外两个连接到多晶硅加热器。对于加热器，仅47mW就足以将膜维持在400°C。对于检测电阻器，测量电阻的最简单方法是让恒定电流流过传感元件并记录输出电压。
气体传感器MEMS工艺
以一氧化碳传感器为例，公开文献中存在类似设备的说明。一个简单的工艺：
首先通过外延生长或离子注入和退火形成重掺杂、p型、2μm厚的硅层。随后沉积氮化硅层。
化学气相沉积（CVD）步骤提供了多晶硅薄膜，随后将其图案化并蚀刻成加热器的形状。
多晶硅薄膜可以在CVD工艺期间原位掺杂，也可以通过离子注入和随后的退火进行掺杂。
然后沉积氧化层并在其中蚀刻接触孔。该层的目的是将多晶硅加热器与氧化锡传感元件电隔离。
氧化锡层是通过溅射锡并在大约400°C的温度下氧化而沉积的。另一种沉积工艺是溶胶-凝胶，从锡基有机前体开始，并通过在高温下烧制来固化。
使用标准光刻对氧化锡层进行图案化并蚀刻成传感元件的形状。溅射和图案化的铝提供接触金属化。
最后，从背面用氢氧化钾或EDP进行蚀刻，在重掺杂的p型表面硅层上停止，形成薄膜。
当然，衬底背面的掩模层（例如氮化硅）和正面的保护是必要的。还可以蚀刻所有硅并在氮化硅层停止，以进一步增加热隔离并提高传感器的性能。
气体传感器结构
MEMS气体传感器的基本结构通常由三部分组成：MEMS芯片、ASIC芯片、和封装。
MEMS部件，前面已经提及，通常利用压阻效应或电容效应等原理来检测气体。由于其脆弱性，传感器芯片通常采用有盖封装设计，以保护其免受外部干扰和损坏。 这种封闭式封装涉及将传感器芯片密封在有盖的金属或陶瓷盒中，并通过多个引脚将其连接到外部电路。
ASIC芯片作为MEMS气体传感器的控制中心，主要用于控制传感器的工作状态和信号处理。 工作状态主要是加热及时序控制，而信号处理涉及模拟电路、数字电路和微处理器模块，可以对ADC进行放大、滤波、转换，并对传感器的数字信号进行处理，从而增强其精度和稳定性。
两者通过封装的方式结合在一个器件之中。