近几十年来,国内传感器方面的原创成果相对较少,一般是将国外产品分析测绘,在模仿的基础上稍作改进。新器件、新材料研发探索布局不够全面。深入剖析基础研究薄弱的现状,会发现如下问题:一是智能传感器研发基础工具落后。在数学模型建立、芯片设计软件开发、仿真及工艺模拟、工艺装备上研发投入较少，传感器研发基础工具大大落后国外同行研究进度。二是智能传感器基础研究力量薄弱。与国外不同,国内高端智能传感器的研究主要集中在高等院校与研究所，由于评价机制的不同,导致高校、院所的研究更多偏向单一性能指标，对于下游应用关心的稳定性、可靠性和低成本的研究不够，真正运用到实际生产并产生经济效益的很少。三是政策支持力度还不够大。传感器属于人才密集、技术密集型产业，具有很强的规模效应和先发效应，我国智能传感器整体产品以中低端为主，利润低、同质化竞争严重,依靠企业自有资金增加研发投入存在困难，更需财政资金的正向引导。但是长期以来，各地对于重大装备多有专项政策,对于智能传感器等基础元器件更多以普适性政策为主,在具体政策项目支持上,很多地方传感器企业被纳入集成电路大类,因企业规模的差距不具备政策争取的优势。

     智能传感器的核心是传感芯片,传感芯片的代工融合了薄膜技术、MEMS技术、晶圆制造技术。制造传感芯片不仅需要成熟且丰富的工艺技术，还要有足够多的产能保证。目前，国内绝大部分智能传感器厂商以无晶圆厂模式居多，委托国内外专业晶圆代工企业加工产品。国内提供专业MEMS代工服务的有中芯国际、无锡华润上华、上海先进等。除以上企业能够满足代工产能和良率要求之外，其他大多数国内MEMS代工企业还未积累起足够的工艺技术储备和大规模市场验证反馈的经验,在加工工艺的一致性、可重复性上也难以满足设计需要,产品的良率和可靠性无法达到规模生产的要求。

     据Yole Group数据显示,全球17家主流MEMS芯片代工厂,除了台积电、世界先进、联电等传统代工厂,中国本土只有赛微电子收购的位于海外瑞典的Silex入榜，再无其他本土MEMS代工厂入围。虽然近年来国内大量上马MEMS代工产线，但是整体开工率较低,存在中低端产能重复建设、高端产能无法突破的问题。